Powstał najmniejszy tranzystor na świecie
18 kwietnia 2008, 11:43Brytyjscy naukowcy z University of Manchester stworzyli najmniejszy tranzystor na świecie. Do jego zbudowania wykorzystali grafen. Tranzystor jest wspólnym dziełem doktora Kostyi Novoselova i profesora Andre Geima, jednego z wynalazców grafenu. To kolejny wynalazek tej dwójki. Tym razem ich tranzystor ma grubość 1 atomu i szerokość 10.
Motyl Hofstadtera złapany
16 maja 2013, 12:41Jak już wcześniej informowaliśmy, azotek boru wydaje się idealnym towarzyszem grafenu. Teraz zespół Romana Gorbacheva z University of Manchester wykazał, że oba materiały pozwalają na przeprowadzenie nowatorskich badań fizycznych i badanie struktur, o których istnieniu dotychczas tylko teoretyzowano
Rząd próbuje zastraszyć redakcję piszącą o NSA
20 sierpnia 2013, 10:50Brytyjskie służby bezpieczeństwa próbują zmusić dziennik The Guardian, by nie publikował więcej informacji przekazanych przez Edwarda Snowdena. Gazeta ujawniła, że dwóch "ekspertów ds. bezpieczeństwa" z GCHQ nadzorowało niszczenie dysków należących do gazety.
Jest akt oskarżenia przeciwko MegaUpload
23 grudnia 2013, 11:37Amerykański Departament Sprawiedliwości złożył do sądu akt oskarżenia przeciwko Kimowi Dotcomowi. Ze 191-stronicowego dokumentu [PDF] po raz pierwszy szczegółowo dowiadujemy się, jakie zarzuty Amerykanie stawiają byłemu właścicielowi serwisu MegaUpload.
Przekładanie warstw grafenu
9 września 2014, 05:15Naukowcy z University of Manchester, tego samego, na którym przed 10 laty odkryto grafen, dowiedli, że umieszczenie warstwy grafenu pomiędzy dwiema warstwami tzw. białego grafenu pozwala na uzyskanie materiału przydatnego do produkcji wysoko wydajnych podzespołów elektronicznych.
Nowa faza materii
27 października 2015, 11:51Grupa fizyków pracujących pod kierunkiem Davida Hsieha z Kalifornijskiego Instytutu Technologicznego (Caltech) odkryła nieznaną fazę materii. Nowa faza charakteryzuje się niezwykłym sposobem uporządkowania elektronów i być może zostanie w przyszłości wykorzystana do budowy urządzeń elektronicznych.
Chiny gonią Zachód
27 grudnia 2012, 08:27Instytut Mikroelektroniki Chińskiej Akademii Nauk poinformował o stworzeniu rodzimego 22-nanometrowego tranzystora MOSFET z metalową bramką i materiałami o wysokiej stałej dielektrycznej. Chińczycy zapewniają, że urządzenie charakteryzuje się światowej klasy wydajnością.
Chińskie postępy zaskoczyły ekspertów
19 października 2015, 12:45W Oak Ridge National Laboratory (ORNL) odbyła się konferencja poświęcona 50. rocznicy rozpoczęcia badań nad reaktorami jądrowymi wykorzystującymi stopione sole. Podczas spotkania zaprezentowano wiele interesujących rozwiązań, jednak najbardziej zaskakujące okazały się postępy, jakie w badaniach nad tymi reaktorami poczynili Chińczycy.
Inżynierowie z Politechniki Warszawskiej wspierają polski przemysł obronny
21 listopada 2016, 11:48Naukowcy z Zakładu Mechaniki i Technik Uzbrojenia, który działa na Wydziale Inżynierii Produkcji, pracują nad nowymi typami amunicji. Ich osiągnięcia cenione są w Polsce i wyróżniają się na tle zagranicznej konkurencji.
Zawory spinowe i memrystory pozwolą zbudować spintroniczny komputer?
28 kwietnia 2017, 08:28Naukowcy z amerykańskiego NIST (Narodowy Instytut Standardów i Technologii) opracowali urządzenie, które może stać się podstawowym elementem budowy wysoko wydajnych energooszczędnych komputerów przyszłości.
